DRAM

Dynamic Random Access Memory. Ein günstigerer flüchtiger Speicher mit hoher Packungsdichte.

• Technologie: Verwendet Kondensatoren (1 Transistor + 1 Kondensator pro Bit).
• Eigenschaften: Ladung verflüchtigt sich und muss regelmäßig "aufgefrischt" (refreshed) werden. Langsamer als SRAM (50 - 70 ns).
• Einsatz: Hauptspeicher (Arbeitsspeicher).